华进可靠性与失效分析检测中心新增热点检测服务

2019-02-20

检测千万条 结论第一条 分析不靠谱 客户两行泪
  近日,华进可靠性与失效分析检测中心向新加坡国立大学附属SEMICAPS 公司购买了一套Semicaps-SOM1100热点检测设备,可用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流,包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)等,通过定位热点位置,分析缺陷原因并帮助后续改善。
 
Semicaps-SOM1100热点检测设备

  作为业界最先进的热点检测设备,Semicaps-SOM1100机台同时具备光发射显微镜PEM (Photon Emission Microscopy)和激光激发-热感生电压变化TIVA(Thermal Induced Voltage Alteration)两种漏电流失效定位技术。PEM和TIVA中的红外光能部分穿透硅材料,故可从正面和背面对样品进行无损失效定位。对于重掺杂和多层布线的非倒装芯片,则需经过背面减薄、抛光等方法做制样预处理。
 

减薄前晶圆背面图像vs 减薄后晶圆背面图像

● 什么是PEM?

  光发射显微镜PEM (Photon Emission Microscopy),PEM配备了探测波长范围900~1600nm的InGaAs探测器,可侦测组件中电子-空穴再结合和场加速载流子辐射所产生的光波。随着电压和漏电流的降低,集成电路的缺陷点主要辐射近红外光。因此,较高探测效率且探测波长集中于近红外光的InGaAs 探测器显得更为重要。  
 

不同探测器的接收波长对比
● 什么是TIVA?

  激光激发-热感生电压变化TIVA(Thermal Induced Voltage Alteration),TIVA配置1340nm激光源及Laser Pulsing技术,通过外部激励产生信号,按逐个像素点对集成电路进行加热,热量改变漏电回路缺陷位置的电阻特性,进而探测到漏电回路或漏电点。


SOM1100关键性能指标还包括:

● PEM InGaAs探测器 & TIVA 1340nm激光源; 
● 12inch测试载样台及测试暗箱;
● 显微镜系统配置:Macro Lens 0.8x for PEM;Lens NIR 2.5x/5x/10x/20x for PEM and TIVA;High NA Lens NIR 50x for PEM and TIVA;
● TIVA Laser Pulsing Technique;
● Laser Marker定位模块;
● 软件具备量测定位网格线、特征点距离量测等辅助功能。

  目前,华进半导体检测中心已经开始承接热点检测业务,欢迎新老客户前来咨询,咨询电话:187 5156 0846,咨询邮箱:xinyang@ncap-cn.com。


  检测中心简介:

  华进半导体可靠性与失效分析检测中心,于2015年5月正式成立,坐落于无锡菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋,是配套江苏省唯一一家省封装产业研究院设立的检测中心,现已取得了ISO9001及CNAS认证,和国内外众多产、学、研组织建立了紧密的合作关系,可以对外提供高效便捷的检测服务。目前服务国内近300家客户,将努力为国内半导体行业的失效分析/可靠性/材料测试做出最大贡献。