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工艺测试芯片


华进可以提供如下规格的标准假片;如有其它需求,亦可定制。

RDL        TSV        BumpingOxide WaferCu Wafer


1. RDL

规格书

Item

Single Side RDL

Double Side RDL

Min Si Thickness

60um

60um

Copper Thickness

>6um

>6um

Copper Line/Space

Min 10um/10um

Min 10um/10um

Chip Size

Target ±20um

Target ±20um

Min Chip Size

0.6mm×0.3mm

0.6mm×0.3mm

Tape&Reel

Min die thickness 90um

Min die thickness 90um

结构示意图:

20190829_2

20190829_3


 

2. TSV

规格书:

Item

TSV 10:100

TSV 20:200

Wafer size

300mm

300mm

Si Thickness

100um±10um

200um±10um

Via size

10um±1.5um

20um±3um

Metal layers

Top side:3
Bottom side:2

Top side:3
Bottom side:2

Copper Line/Space

Min 10um/10um

Min 10um/10um

Micro Bump Pitch

Min 40um

Min 40um


结构示意图:

文本框: TSV20190829_4 


 

3. Bumping

规格书:

Item

Wafer Bumping

Wafer Size

300mm/200mm

Bump Pitch

Min 80um

Bump Size

Min 50um

Bump Height

<80um

RDL Line/Space

Min 10um/10um

 

结构示意图:

 

20190830_5

 

4. Oxide Wafer

规格书:

Item

Oxide Wafer

Oxide Wafer

Wafer size

300mm

200mm

SiO2 Thickness

0.1um~6um

0.1um~6um

 

 

5. Cu Wafer

规格书:

Item

Cu Wafer

Cu Wafer

Wafer size

300mm

200mm

Cu Thickness

≥1um

≥1um