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失效分析

华进半导体检测中心通过建立健全质量体系来实施各项测试活动。

  • 2015年6月通过ISO9001质量管理认证;

  • 2018年8月通过CNAS(中国合格评定国家认可委员会)实验室认证。


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中心具备微观形貌检测、材料金相分析、结构物理验证、热分析、可靠性加速试验等先进检测技术,支持GJB、GB、IPC、JEDEC、IEC等国内外各类原材料、元器件、模块组件的测试与试验标准。服务覆盖先进半导体工艺研发、汽车电子研究、物联网应用、可穿戴电子、医疗电子等热门领域。

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失效分析-DPA测试

序号

设备名称

型号

制造商

序号

设备名称

型号

制造商

1

X射线检测系统

Y.Cheetah

德国

YXLON

7

激光开封机

PST 2000

Advanced

2

超声扫描显微镜(CSAM)

D9600

美国

Sonoscan

8

酸开封机

Elite-ETCH

World   Engineering

3

聚焦离子束场发射扫描电子显微镜(DB-FIB)

Auriga Compact

德国

Zeiss

9

自动研磨机

Forcipol-202

英国KEMET

4

场发射扫描电镜(SEM

SigmaHD

德国

Zeiss

10

离子抛光机

IM4000

日立Hitachi

5

台式BSE扫描电子显微镜

Phenom XL

Phenom

11

手动磨抛机

SinPOL 1000T

西恩士

6

光学金相显微镜

BX51/61

Olympus

12

3D-OM

VHX-7000

基恩士


翘曲度测试-热变形外貌检测仪Shadow Moiré


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主要技术指标:


最大样品尺寸400×400mm2

标准误差小于1μm

共面性低于1μm

最大加热温度为300 ℃

最高每秒加热1 ℃

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聚焦离子束扫描电子显微镜(DB-FIB)


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主要技术指标:


电子束系统分辨率:  1.1nm(20kV)/1.5nm(10kV)/2.5nm(1kV)
离子束系统分辨率: 5nm(30kV,1pA)
电子束加速电压: 0.1-30 kV
离子束加速电压: 0.5-30 kV
电子束流: 4pA-100nA
离子束流: 1pA-50nA

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热点检测微光显微镜(PEM)


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主要技术指标:


•PEM InGaAs探测器
•TIVA 1340nm激光源,配置TIVA Laser Pulsing Technique;
•12inch测试载样台;
•Macro Lens 0.8x/2.5x/5x/10x/20x/50x for PEM and TIVA;

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